• Предмет: Физика
  • Автор: nightyour
  • Вопрос задан 6 лет назад

2. Что характеризует диэлектрическая проницаемость материала?
- Его проводящие свойства
- Его изолирующие свойства
- Его способность накапливать в своем объеме энергию электрического поля
- Его способность противостоять электрическому пробою
- Его проницаемость для высокочастотного электрического излучения

3. Для электроизоляции высокочастотных кабелей диэлектрик с каким значением диэлектрической проницаемости следует выбирать?
- Низким*
- Высоким
- Величина диэлектрической проницаемости изоляционного материала в этом случае значения не имеет

4. В чем заключается явление поляризации диэлектриков?
- В появлении электрического момента у каждого объема вещества
- Во временном изменении химического состава вещества
- В увеличении числа свободных зарядов в веществе
- В изменении некоторых механических свойств вещества

5. Какое расположение энергетических уровней примесей оказывает наибольшее влияние на свойства полупроводника?
- Во всех энергетических зонах
- В валентной энергетической воне
- В запрещенной энергетической зоне
- В свободной энергетической зоне
- В валентной и свободной энергетических зонах
- В свободной и запрещенной энергетических зонах

6. Какие свойства придают полупроводникам донорные и акцепторные примеси?
- Прочность.
- Проводимость свободных зарядов обоих знаков.
- Проводимость свободных зарядов одного знака.
- Повышенное сопротивление прохождению электрического тока.

7. Соединение двух полупроводниковых материалов с противоположным типом проводимости служит для:
- Выравнивания электрического потенциала по всему объему вещества.
- Создания каналов локальной проводимости различного знака.
- Создания границы зон проводимости различного знака.
- Получения материалов с новыми физическими свойствами.

8. Акцепторные примеси в полупроводниках служат для:
- Поставки положительных свободных зарядов.
- Поставки отрицательных свободных зарядов.
- Поглощения положительных свободных зарядов.
- Поглощения отрицательных свободных зарядов.

9. P-n переход в полупроводниках служит для целей:
- Изоляции поверхности полупроводников от воздействия внешних условий
- Создания оптических эффектов на поверхности полупроводника
- Получения области вещества с дополнительными электрофизическими эффектами
- Для перехода от вещества полупроводника к веществу- проводнику электрода, соединяющего область полупроводника с внешними цепями

12. Чем дрейфовый ток отличается от диффузионного?
- Величиной.
- Направлением.
- Местом возникновения.
- Знаком носителей.
- Причиной возникновения.

14. Какая математическая зависимость используется для аппроксимации графиков токов в p-n переходе?
- Экспоненциальная.
- Линейная.
- Логарифмическая.
- Синусоидальная.

Ответа на этот вопрос пока нет. Попробуйте найти его через форму поиска.

Вас заинтересует